Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1299Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 300 bis 500
Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SB1299Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1299Q kann eine Gleichstromverstärkung von 300 bis 500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1299 liegt im Bereich von 300 bis 700, die des 2SB1299P im Bereich von 400 bis 700.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1299Q-Transistor könnte nur mit "B1299Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1299Q ist der 2SD1273Q.
SMD-Version des Transistors 2SB1299Q
Der BDP950 (SOT-223) und NZT660A (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1299Q-Transistors.