Bipolartransistor 2SB1299Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1299Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 300 bis 500
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB1299Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1299Q kann eine Gleichstromverstärkung von 300 bis 500 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1299 liegt im Bereich von 300 bis 700, die des 2SB1299P im Bereich von 400 bis 700.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1299Q-Transistor könnte nur mit "B1299Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1299Q ist der 2SD1273Q.

SMD-Version des Transistors 2SB1299Q

Der BDP950 (SOT-223) und NZT660A (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1299Q-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1299Q

Sie können den Transistor 2SB1299Q durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.
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