Bipolartransistor 2SB1268

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1268

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-262

Pinbelegung des 2SB1268

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1268 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1268-Q liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1268-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1268-S im Bereich von 140 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1268-Transistor könnte nur mit "B1268" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1268 ist der 2SD1904.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1268

Sie können den Transistor 2SB1268 durch einen 2SB1269, 2SB1270 oder 2SB1271 ersetzen.
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