Bipolartransistor 2SB1255-Q

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 8000 bis 30000
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3PF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1255-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 8000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1255 liegt im Bereich von 5000 bis 30000, die des 2SB1255-P im Bereich von 5000 bis 15000.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1255-Q-Transistor könnte nur mit "B1255-Q" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1255-Q ist der 2SD1895-Q.