Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1203-S
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 140 bis 280
Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-251
Pinbelegung des 2SB1203-S
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1203-S kann eine Gleichstromverstärkung von 140 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1203 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SB1203-Q im Bereich von 70 bis 120, die des 2SB1203-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1203-T im Bereich von 200 bis 400.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1203-S-Transistor könnte nur mit "B1203-S" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1203-S ist der 2SD1803-S.
SMD-Version des Transistors 2SB1203-S
Der 2SB1124 (SOT-89), 2SB1124-S (SOT-89) und BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1203-S-Transistors.
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1203-S
Sie können den Transistor 2SB1203-S durch einen 2SB1204 oder 2SB1204-S ersetzen.
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