Bipolartransistor 2SB1201-T

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1201-T

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-251

Pinbelegung des 2SB1201-T

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1201-T kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1201 liegt im Bereich von 100 bis 560, die des 2SB1201-R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1201-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1201-U im Bereich von 280 bis 560.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1201-T-Transistor könnte nur mit "B1201-T" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1201-T ist der 2SD1801-T.

SMD-Version des Transistors 2SB1201-T

Der 2SB1115 (SOT-89), 2SB1115-YL (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1122-T (SOT-89), 2SB1123 (SOT-89), 2SB1123-T (SOT-89) und 2STR2160 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB1201-T-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1201-T

Sie können den Transistor 2SB1201-T durch einen 2SA2039, 2SA2040, 2SA2169, 2SB1202, 2SB1202-T, 2SB1203, 2SB1203-T, 2SB1204 oder 2SB1204-T ersetzen.
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