Bipolartransistor 2SB1125

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1125

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -10 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 4000
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-89

Pinbelegung des 2SB1125

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der 2SB1125-Transistor ist als "BH" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1125 ist der 2SD1625.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1125

Sie können den Transistor 2SB1125 durch einen 2SB1126 ersetzen.
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