Bipolartransistor 2SA642G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA642G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA642G

Der 2SA642G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA642G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA642 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des 2SA642O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA642Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA642G-Transistor könnte nur mit "A642G" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA642G ist der 2SD227G.

Transistor 2SA642G im TO-92-Gehäuse

Der KSA642G ist die TO-92-Version des 2SA642G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA642G

Sie können den Transistor 2SA642G durch einen 2SB564A, 2SB564AGR, BCX79, KSA642, KSA642G, KSB564A, KSB564AG, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, NTE193 oder PN200 ersetzen.
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