Bipolartransistor 2SA634-N

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA634-N

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 55 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-202

Pinbelegung des 2SA634-N

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA634-N kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 60 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA634 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des 2SA634-K im Bereich von 120 bis 250, die des 2SA634-L im Bereich von 80 bis 160, die des 2SA634-M im Bereich von 50 bis 100.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA634-N-Transistor könnte nur mit "A634-N" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA634-N ist der 2SC1096-N.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA634-N

Sie können den Transistor 2SA634-N durch einen 2SA636, 2SA636-N, 2SA636A oder 2SA636A-N ersetzen.
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