Bipolartransistor 2SA510-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA510-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2SA510-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA510-O kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA510 liegt im Bereich von 30 bis 150, die des 2SA510-R im Bereich von 30 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA510-O-Transistor könnte nur mit "A510-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA510-O ist der 2SC510-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA510-O

Sie können den Transistor 2SA510-O durch einen 2N5322 ersetzen.
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