Bipolartransistor 2SA510-O
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA510-O
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
- Verlustleistung, max: 8 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 150
- Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
- Gehäuse: TO-39
Pinbelegung des 2SA510-O
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA510-O
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