Bipolartransistor 2SA499
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA499
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
- Verlustleistung, max: 0.25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
- Übergangsfrequenz, min: 250 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
- Gehäuse: TO-18
Pinbelegung des 2SA499
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA499
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