Bipolartransistor 2SA1187-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1187-P

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 120 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: MT-200

Pinbelegung des 2SA1187-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1187-P kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1187 liegt im Bereich von 50 bis 180, die des 2SA1187-O im Bereich von 50 bis 100, die des 2SA1187-Y im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1187-P-Transistor könnte nur mit "A1187-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1187-P ist der 2SC2838-P.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1187-P

Sie können den Transistor 2SA1187-P durch einen 2SA1076, 2SA1095, 2SA1169, 2SA1169-P, 2SA1170, 2SA1170-Y, 2SA1215, 2SA1215-P, 2SA1216, 2SA1216-P, 2SA1295, 2SA1295-Y, 2SA1493, 2SA1493-P, 2SA1494, 2SA1494-P oder 2SB755 ersetzen.
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