Bipolartransistor 2SA1075

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1075

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 120 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: MT-200

Pinbelegung des 2SA1075

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1075-Transistor könnte nur mit "A1075" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1075 ist der 2SC2525.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1075

Sie können den Transistor 2SA1075 durch einen 2SA1076, 2SA1094 oder 2SA1095 ersetzen.
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