Bipolartransistor 2SA1013R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1013R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 0.9 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SA1013R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1013R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1013 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SA1013O im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1013R-Transistor könnte nur mit "A1013R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1013R ist der 2SC2383R.

SMD-Version des Transistors 2SA1013R

Der KST93 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1013R-Transistors.

Transistor 2SA1013R im TO-92-Gehäuse

Der KSA1013R ist die TO-92-Version des 2SA1013R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1013R

Sie können den Transistor 2SA1013R durch einen 2SA1275, 2SA1275-R, KSA1013, KSA1013R, KTA1275 oder KTA1275R ersetzen.
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