Bipolartransistor 2N706A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N706A

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 15 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 25 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des 2N706A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors 2N706A

Der MMBT918 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2N706A-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N706A

Sie können den Transistor 2N706A durch einen 2N2220, 2N2369A, 2N706 oder 2N706B ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com