Bipolartransistor 2N6675

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6675

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 650 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 175 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 3 bis 10
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6675

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
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