Bipolartransistor 2N6609
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6609
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -16 A
- Verlustleistung, max: 150 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 60
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2N6609
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6609
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com