Bipolartransistor 2N6609

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6609

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -16 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 60
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6609

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6609 ist der 2N3773.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6609

Sie können den Transistor 2N6609 durch einen 2N6031, MJ15023, MJ15023G, MJ15025 oder MJ15025G ersetzen.
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