Bipolartransistor 2N6557
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6557
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 250 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
- Verlustleistung, max: 10 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 180
- Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-202
Pinbelegung des 2N6557
SMD-Version des Transistors 2N6557
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6557
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