Bipolartransistor 2N6552

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6552

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 375 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-202

Pinbelegung des 2N6552

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6552 ist der 2N6555.

SMD-Version des Transistors 2N6552

Der 2SC3438 (SOT-89), FMMTA06 (SOT-23) und KST06 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2N6552-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6552

Sie können den Transistor 2N6552 durch einen 2N6553 ersetzen.
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