Bipolartransistor 2N6517C

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 400 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2N6517C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in 2N6517.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.