Bipolartransistor 2N6430

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6430

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 200
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des 2N6430

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6430 ist der 2N6432.

SMD-Version des Transistors 2N6430

Der KST43 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2N6430-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6430

Sie können den Transistor 2N6430 durch einen 2N6431 ersetzen.
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