Bipolartransistor 2N6426

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6426

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 12 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30000 bis 300000
  • Rauschzahl, max: 3 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2N6426

Der 2N6426 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors 2N6426

Der 2SC3912 (SOT-23), 2SC3913 (SOT-23), 2SC3914 (SOT-23) und 2SC3915 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2N6426-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6426

Sie können den Transistor 2N6426 durch einen KSP05, KSP06, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPSA05, MPSA05G, MPSA06, MPSA06G, MPSA28, MPSA28G, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, ZTX690B oder ZTX692B ersetzen.
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