Bipolartransistor 2N6282G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6282G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 20 A
  • Verlustleistung, max: 160 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 18000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der 2N6282G ist die bleifreie Version des 2N6282-Transistors

Pinbelegung des 2N6282G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6282G ist der 2N6285G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6282G

Sie können den Transistor 2N6282G durch einen 2N6282, 2N6283, 2N6283G, 2N6284, 2N6284G, KD502 oder KD503 ersetzen.
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