Bipolartransistor 2N6213

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6213

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -350 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -400 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2N6213

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
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