Bipolartransistor 2N6129

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6129

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2N6129

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6129 ist der 2N6132.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6129

Sie können den Transistor 2N6129 durch einen 2N5490, 2N5492, 2N5494, 2N5496, 2N6130, 2N6131, 2N6486, 2N6486G, 2N6487, 2N6487G, 2N6488, 2N6488G, BD705, BD707, BD709, BD743, BD743A, BD743B, BD905, BD907, BD909, BDT91, BDT91F, BDT93, BDT93F, MJE3055T oder MJE3055TG ersetzen.
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