Bipolartransistor 2N6109

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6109

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2N6109

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6109 ist der 2N6290.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6109

Sie können den Transistor 2N6109 durch einen 2N6107, 2N6107G, 2N6108, 2N6109G, 2N6110, 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD204, BD304, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78 oder NTE197 ersetzen.

Bleifreie Version

Der 2N6109G-Transistor ist die bleifreie Version des 2N6109.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com