Bipolartransistor 2N6079

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6079

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 375 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 45 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 12 bis 70
  • Übergangsfrequenz, min: 7 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2N6079

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com