Bipolartransistor 2N6032

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6032

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 90 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 50 A
  • Verlustleistung, max: 140 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 40
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6032

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
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