Bipolartransistor 2N5986

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5986

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-127

Pinbelegung des 2N5986

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N5986 ist der 2N5989.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5986

Sie können den Transistor 2N5986 durch einen 2N5987 oder 2N5988 ersetzen.
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