Bipolartransistor 2N5963

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1200 bis 2200
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2N5963 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor 2N5963 durch einen KSP05, MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G, MPS6532, MPS6602, MPS6602G, MPSA05, MPSA05G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, MPSW05, MPSW05G oder ZTX690B ersetzen.