Bipolartransistor 2N5962

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 700 bis 1400
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2N5962 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor 2N5962 durch einen KSP05, KSP06, MPS651, MPS651G, MPSA05, MPSA05G, MPSA06, MPSA06G, MPSA18, MPSA18G, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, ZTX690B oder ZTX692B ersetzen.