Bipolartransistor 2N5681

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5681

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2N5681

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5681 ist der 2N5679.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5681

Sie können den Transistor 2N5681 durch einen 2N5320, 2N5682 oder 2SC510 ersetzen.
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