Bipolartransistor 2N5416
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5416
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -300 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -350 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
- Verlustleistung, max: 1 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 120
- Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-39
Pinbelegung des 2N5416
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N5416
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