Bipolartransistor 2N5089

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 3 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
• Verlustleistung, max: 0.625 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 400 bis 1200
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Rauschzahl, max: 2 dB
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Der 2N5089 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der MMBT5089 (SOT-23) und MMBTH10 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2N5089-Transistors.Sie können den Transistor 2N5089 durch einen MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSH10, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G oder ZTX690B ersetzen.