Bipolartransistor 2N5058
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N5058
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.15 A
- Verlustleistung, max: 5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 35 bis 150
- Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-39
Pinbelegung des 2N5058
SMD-Version des Transistors 2N5058
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