Bipolartransistor 2N4298

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N4298

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 350 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 500 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25 bis 75
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2N4298

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
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