Bipolartransistor 2N4250A
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N4250A
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
- Verlustleistung, max: 0.2 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 700
- Rauschzahl, max: 2 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-106
Pinbelegung des 2N4250A
Transistor 2N4250A im TO-92-Gehäuse
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