Bipolartransistor 2N3866

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3866

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 55 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.4 A
  • Verlustleistung, max: 5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 10 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 500 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2N3866

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
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