Bipolartransistor 2N3646

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3646

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -15 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.2 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 350 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-106

Pinbelegung des 2N3646

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
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