Bipolartransistor 2N3642
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3642
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 120
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
- Gehäuse: TO-105
Pinbelegung des 2N3642
Transistor 2N3642 im TO-92-Gehäuse
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3642
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