Bipolartransistor 2N3585

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3585

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 500 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
Verlustleistung, max: 35 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 25 bis 100
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2N3585

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N3585 ist der 2N6422.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3585

Sie können den Transistor 2N3585 durch einen 2N6235 ersetzen.

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