Bipolartransistor 2N3501

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3501

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 300
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2N3501

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com