Bipolartransistor 2N3055AG

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3055AG

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 115 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 70
  • Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der 2N3055AG ist die bleifreie Version des 2N3055A-Transistors

Pinbelegung des 2N3055AG

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3055AG

Sie können den Transistor 2N3055AG durch einen 2N3055, 2N3055A, 2N3055G, 2N3055H, 2N5039, 2N5630, 2N5671, 2N5672, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G, 2N6471, 2N6472, BD130, BD182, BD183, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002, MJ14002G, MJ15015, MJ15015G oder NTE130 ersetzen.
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