Bipolartransistor 2N3055AG
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3055AG
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
- Verlustleistung, max: 115 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 70
- Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
- Der 2N3055AG ist die bleifreie Version des 2N3055A-Transistors
Pinbelegung des 2N3055AG
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3055AG
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