Bipolartransistor 2N1480

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N1480

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 55 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 35 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-39

Pinbelegung des 2N1480

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N1480

Sie können den Transistor 2N1480 durch einen 2N1482, 2N5320, 2N5334, 2N5335, 2N5336, 2N5338, 2SC510 oder 2SC512 ersetzen.
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