Bipolartransistor 2N1131
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N1131
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -35 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.6 A
- Verlustleistung, max: 0.8 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 20 bis 45
- Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-39
Pinbelegung des 2N1131
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