Transistor bipolaire PBHV8540X

Caractéristiques électriques du transistor PBHV8540X

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 400 V
  • Tension collecteur-base maximum: 500 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.52 W
  • Gain de courant (hfe): 100
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du PBHV8540X

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor PBHV8540X est marqué "4D".

Complémentaire du transistor PBHV8540X

Le transistor PNP complémentaire du PBHV8540X est le PBHV9040X.
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