Transistor bipolaire PBHV8540T

Caractéristiques électriques du transistor PBHV8540T

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 400 V
  • Tension collecteur-base maximum: 500 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.3 W
  • Gain de courant (hfe): 100
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23

Brochage du PBHV8540T

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor PBHV8540T est marqué "W4".

Complémentaire du transistor PBHV8540T

Le transistor PNP complémentaire du PBHV8540T est le PBHV9040T.

Substituts et équivalents pour le transistor PBHV8540T

Vous pouvez remplacer le transistor PBHV8540T par STR1550.
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