Transistor bipolaire NTE396

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 350 V
• Tension collecteur-base maximum: 450 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 5 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 160
• Fréquence de transition minimum: 15 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-39

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du NTE396 est le NTE397.Vous pouvez remplacer le transistor NTE396 par 2N3439.