Transistor bipolaire NJW3281G

Caractéristiques électriques du transistor NJW3281G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
  • Tension collecteur-base maximum: 250 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 200 W
  • Gain de courant (hfe): 75 à 150
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P
  • Le NJW3281G est la version sans plomb du transistor NJW3281

Brochage du NJW3281G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor NJW3281G

Le transistor PNP complémentaire du NJW3281G est le NJW1302G.

Substituts et équivalents pour le transistor NJW3281G

Vous pouvez remplacer le transistor NJW3281G par 2SC3320, 2SC5242, 2SD1313, FJA4313, FJL4315, MJL0281A, MJL0281AG, MJL3281A, MJL3281AG, MJW0281A, MJW0281AG, NJW0281, NJW0281G ou NJW3281.
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