Transistor bipolaire NJW3281G
Caractéristiques électriques du transistor NJW3281G
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 250 V
- Tension collecteur-base maximum: 250 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 15 A
- Dissipation de puissance maximum: 200 W
- Gain de courant (hfe): 75 à 150
- Fréquence de transition minimum: 30 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-3P
- Le NJW3281G est la version sans plomb du transistor NJW3281
Brochage du NJW3281G
Complémentaire du transistor NJW3281G
Substituts et équivalents pour le transistor NJW3281G
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