Transistor bipolaire MMBT5089

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
• Tension collecteur-base maximum: 30 V
• Tension émetteur-base maximum: 3 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.05 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
• Gain de courant (h_fe): 400 à 1200
• Fréquence de transition minimum: 50 MHz
• Figure de bruit maximum: 2 dB
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-23
• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MMBT5089 est marqué "1R".Vous pouvez remplacer le transistor MMBT5089 par 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, FMMT619 ou MMBTH10.