Transistor bipolaire MMBT3906TT1

Caractéristiques électriques du transistor MMBT3906TT1

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.15 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 250 MHz
  • Figure de bruit maximum: 5 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-416

Brochage du MMBT3906TT1

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor MMBT3906TT1

Vous pouvez remplacer le transistor MMBT3906TT1 par MMBT3906TT1G.

Version sans plomb

Le transistor MMBT3906TT1G est la version sans plomb du MMBT3906TT1.
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